MOCVD 设备是用于沉积单晶薄材料的专用工具。
它主要用于制造化合物半导体。
该工艺使用金属有机化合物和氢化物作为源材料，通过气相外延进行操作。
什么是 MOCVD 设备？需要了解的 4 个要点
1.源材料和工艺
MOCVD 使用第 III 族和第 II 族元素的有机化合物。
它还使用 V 族和 VI 族元素的氢化物。
这些材料被引入反应室进行热分解。
分解的结果是各种 Ⅲ-V 和 Ⅱ-VI 族化合物半导体及其多层固溶体以单晶薄材料的形式沉积在基底上。
2.方法和功能
MOCVD 工艺使用金属有机化合物作为前驱体。
这些前驱体被引入反应室。
它们或被热分解，或被等离子体或光等其他方法激活。
金属中心与其他前体分子或基质发生反应，形成所需的材料。
有机配体作为副产品释放出来。
这种方法可以精确控制沉积薄膜的成分和掺杂水平。
对于要求高精度和高质量的应用尤其有用。
3.应用与控制
MOCVD 广泛应用于高亮度 LED（HBLED）和其他化合物半导体器件等设备的生产。
该工艺通过先进的仪器进行控制，这些仪器可监控和调整晶片载体/槽温度、薄膜厚度、薄膜应力/晶片曲率和表面测量等参数。
这种实时反馈可确保高产量和可重复性，这对工业应用至关重要。
4.技术特点
与其他 CVD 技术不同，MOCVD 通过鼓泡器引入反应物。
鼓泡器将载气通过加热的金属有机液体。
这种方法可确保 MO 源的浓度可控且可重复。
它提高了沉积过程的效率和可靠性。
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