晶圆制造中的沉积工艺是半导体行业的关键步骤。
它涉及在固体表面形成薄层或厚层材料。
这一过程对于制造半导体器件至关重要。
不同的材料和结构需要特定的沉积技术。
主要方法包括化学气相沉积 (CVD)、电化学沉积 (ECD) 和原子层沉积 (ALD)。
每种方法都有不同的用途，如创建绝缘层、金属互连和精密金属连接器。
5 种关键技术说明
化学气相沉积（CVD）
CVD 是一种用于生产高质量、高性能固体材料的方法。
它通常在真空条件下进行，通常用于制造半导体。
CVD 是指气态化学物质在基底表面发生反应，形成固体薄膜。
这种工艺用途广泛，可用于沉积各种材料，包括金属、半导体和绝缘体。
CVD 的多功能性使其可以精确控制薄膜的厚度和成分，从而创造出复杂的结构。
电化学沉积 (ECD)
电化学沉积 (ECD) 专门用于制造连接集成电路器件的铜 "布线 "或互连器件。
该工艺是通过电化学反应将铜沉积到基底上。
将基板浸入含有铜离子的溶液中，然后施加电流将铜离子还原成金属铜，沉积到基板上。
这种方法对微电子设备中导电路径的形成至关重要。
原子层沉积（ALD）
原子层沉积是一种高度精确的沉积技术，每次只添加几层原子。
它可用于在半导体器件中制造微小的钨连接器和薄壁层。
ALD 的工作原理是将气态前驱体依次引入基底表面，在基底表面发生反应并形成薄膜。
这一过程具有自限性，也就是说，一旦一种前驱体的表面达到饱和，在引入下一种前驱体之前就不会再发生反应。
因此，即使在复杂的三维结构上，也能形成高度均匀和保形的薄膜。
等离子体增强型 CVD（PECVD）和高密度等离子体 CVD（HDP-CVD）
这些都是利用等离子体增强沉积过程的 CVD 变体。
PECVD 尤其适用于在对温度敏感的结构上沉积薄膜，因为与传统的 CVD 相比，它可以实现更低的沉积温度。
HDP-CVD 用于形成关键绝缘层，以隔离和保护半导体中的电气结构。
这两种方法都利用等离子体来提高气体的反应性，从而更好地控制薄膜的特性，加快沉积速度。
总之，晶圆制造中的沉积工艺是一种多方面的方法，涉及各种技术，以满足半导体行业的特定需求。
这些技术能够精确、可控地沉积制造复杂电子设备所需的材料。
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