说到薄膜沉积，人们往往会想到两种方法：化学气相沉积 (CVD) 和原子层沉积 (ALD)。
这两种方法都用于在各种基底上沉积薄膜，但在实现方法上有很大不同。
化学气相沉积 (CVD) 和原子层沉积 (ALD) 的 4 个主要区别
1.沉积的精度和控制
ALD 原子层沉积（ALD）是一种有序、自我限制的过程。
两种或两种以上的前驱体材料一次一种地引入反应室。
每种前驱体都会与基底表面发生反应，形成化学结合的单层。
重复这一过程，逐层形成所需的薄膜厚度。
ALD 反应的自限性确保了每一层都是均匀的，薄膜厚度可精确控制在原子级。
而 CVD则是将多种前驱体同时引入反应室，在反应室中发生反应并沉积在基底上。
这种工艺本身并不限制单个循环中形成的层数，因此与 ALD 相比，对薄膜厚度和均匀性的控制较差。
2.一致性和均匀性
ALD 在沉积与基底表面贴合的薄膜方面表现出色，包括复杂的几何形状和高纵横比结构。
这在半导体制造等应用中至关重要，因为这些应用中的设备特征越来越小、越来越复杂。
CVD 也能生产保形涂层，但其保形性和均匀性通常低于 ALD 所达到的水平，尤其是在复杂的几何形状中。
3.沉积速率和薄膜厚度
ALD 通常用于沉积非常薄的薄膜（10-50 nm），由于采用逐层沉积的方法，与 CVD 相比速度较慢。
精确度和一致性是以沉积速度为代价的。
CVD 是需要较厚薄膜和较高沉积速度时的首选。
它更适用于对薄膜厚度要求不高或需要更快生产的应用。
4.前驱体的多功能性
CVD 可使用更广泛的前驱体，包括在沉积过程中分解的前驱体。
这种多功能性可沉积更广泛的材料。
ALD 需要能发生自限制反应的前驱体，这就限制了使用这种方法沉积的材料范围。
总之，虽然 ALD 和 CVD 都可用于薄膜沉积，但 ALD 在控制、精度和保形性方面更胜一筹，因此非常适合需要极薄、均匀和保形涂层的应用。
而 CVD 在以更高的速度沉积更厚的薄膜方面用途更广，效率更高。
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