在表面涂敷薄膜或涂层时，有两种常见的方法：PVD（物理气相沉积）和 PECVD（等离子体增强化学气相沉积）。
4 个主要区别说明
1.沉积方法
PVD： PVD 涂层通过视线沉积过程沉积。
PVD： 涂层材料气化后以直线路径沉积到表面。
PVD： 如果有不规则或障碍物遮挡某些区域，则会导致薄膜深度差异较大。
PECVD： 另一方面，PECVD 涂层使用等离子流环绕基材。
PECVD： 这减少了视线问题，使薄膜的一致性更高。
PECVD 等离子体流有助于更均匀地分布涂层材料，即使在不平整的表面上也是如此。
2.温度
PVD： PVD 工艺通常温度较高。
PVD： 涂层材料气化后在高温下凝结在表面上。
PECVD： PECVD 工艺温度较低。
PECVD： 使用等离子体将涂层材料扩散到表面，等离子体的工作温度较低。
PECVD： 这种较低的沉积温度有助于减少材料上的应力，并能更好地控制薄层工艺。
3.材料兼容性
PVD： PVD 涂层可应用于多种材料，包括金属、陶瓷和塑料。
PECVD： PECVD 涂层主要用于硅基材料。
PECVD： 这是一种生产硅基材料的半清洁方法。
4.沉积速率
PVD： 与 PECVD 相比，PVD 工艺的沉积率通常更高。
PVD： 这使得涂层应用速度更快，有利于某些应用。
PECVD： 与 PVD 相比，PECVD 工艺的沉积速率较低。
PECVD： 然而，较慢的沉积速率在实现对薄层工艺和沉积速率的更精确控制方面具有优势。
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