化学气相沉积（CVD）工艺的温度通常在 900°C 至 2000°C 之间。
这种高温是将固体材料沉积到基底上所涉及的化学反应所必需的。
这些反应主要包括动力学过程、传质过程和解吸过程，这些过程在热力学上由高温和低压驱动。
这些条件可确保系统的吉布斯自由能达到最低值，从而形成固体。
CVD 过程中的高温会导致部件变形和材料结构变化。
这可能会降低基底材料的机械性能，削弱基底和涂层之间的结合力。
这种限制会影响基底的选择和沉积层的质量。
为了缓解这些问题，低温和高真空 CVD 工艺的开发是一个重点。
在 CVD 过程中，温度控制至关重要，因为它会影响陶瓷涂层的沉积速率和微观结构。
例如，在较低温度下，动力学控制更为可取，而在较高温度下，扩散控制更为有效。
CVD 涂层沉积的典型温度范围为 900°C 至 1400°C。
通过调节腔室温度、前驱体纯度和流速，可以部分控制涂层的特性。
CVD 工艺通常是连续环路工艺，反应气体连续进入系统，反应副产物被排出。
这些工艺的温度一般在 500°C 至 1100°C 之间，具体取决于所涉及的特定材料和反应。
总之，CVD 工艺在高温（主要在 900°C 至 2000°C 之间）下运行，以促进在基底上沉积固体材料所需的化学反应。
然而，高温会导致材料变形和结构变化，从而促使人们研究低温和高真空的替代方法。
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