磁控管中溅射等离子体的温度可根据具体的工艺条件和靶材而变化。在靶材冷却能力有限的反应式溅射工艺中，温度范围为 720 至 1210 °C。这一温度范围是通过产生频率为 0.5 至 1 Hz 的等离子脉冲来实现的。
磁控溅射是一种向靶材施加通常为 -300V 或更高负压的工艺。这种负电压将正离子高速吸引到靶材表面。当正离子与靶材表面的原子碰撞时，会发生能量转移。如果转移到晶格部位的能量大于结合能，就会产生初级反冲原子，这些原子会与其他原子碰撞，并通过碰撞级联分配能量。如果传递到表面原子的能量大于表面结合能的约 3 倍，则表面原子会被溅射。
在磁控溅射中使用磁场（即捕获效应）可以在较低温度下提高电离和涂层沉积率。磁场控制着等离子体的传输路径，形成的磁力线将等离子体从靶材的一端引导到另一端。这种基于磁场的传输路径增加了等离子体的数量，从而提高了生产过程的效率。这种方法有时被称为平衡磁控溅射。
总之，磁控管中溅射等离子体的温度可根据具体工艺条件和要求进行控制和调整。在磁控溅射中使用负电压和磁场可实现目标原子的高效电离和溅射，从而在基底上沉积薄膜。
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