磁控管中溅射等离子体的温度可根据具体的工艺条件和靶材而变化。
在靶材冷却能力有限的反应式溅射工艺中，温度范围为 720 至 1210 °C。
这一温度范围是通过产生频率为 0.5 至 1 Hz 的等离子脉冲来实现的。
5 个要点说明
1.磁控溅射工艺
磁控溅射是在靶材上施加通常为 -300V 或更高的负电压的过程。
这种负电压将正离子高速吸引到靶材表面。
当正离子与靶材表面的原子碰撞时，就会发生能量转移。
如果转移到晶格部位的能量大于结合能，就会产生原反冲原子。
这些原初反冲原子会与其他原子碰撞，并通过碰撞级联释放能量。
如果传递到表面原子的能量大于表面结合能的约 3 倍，该表面原子就会被溅射。
2.磁场的作用
在磁控溅射中使用磁场（即捕获效应）可在较低温度下提高电离和涂层沉积率。
磁场控制着等离子体的传输路径，形成的磁力线将等离子体从靶材的一端引导到另一端。
这种基于磁场的传输路径增加了等离子体的数量，从而提高了生产过程的效率。
这种方法有时被称为平衡磁控溅射。
3.温度控制
总之，磁控溅射等离子体的温度可根据具体的工艺条件和要求进行控制和调节。
在磁控溅射中使用负电压和磁场可实现靶原子的高效电离和溅射。
从而在基底上沉积薄膜。
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