真空蒸发是一种用于微电子学和制造业的方法，用于将材料薄膜沉积到基底上。
该工艺包括在高真空环境中加热固体材料（即蒸发剂），直至其熔化、蒸发或升华为蒸汽。
蒸发后的材料会凝结在特定的基底上，形成一层薄薄的源材料。
这种方法特别适用于制造有源元件、设备触点、金属互连以及电阻器、电介质和电容器电极等各种薄膜。
5 个要点说明
1.高真空环境
真空蒸发过程通常在高真空室中进行。
这样可以最大限度地减少源材料在到达基底时的气体碰撞和不必要的反应。
真空条件通常在 10^-5 到 10^-9 托之间，具体取决于沉积薄膜中可容忍的污染程度。
2.加热源材料
为了实现蒸发，需要将源材料加热到其蒸汽压至少达到 10 mTorr 的温度。
这种加热可以通过各种方法实现，包括电阻加热绞线、船或坩埚（适用于气化温度低于 1,500°C 的材料）。
对于气化温度较高的材料，可使用高能电子束。
3.视线轨迹
气化材料以视线轨迹移动。
这意味着它会沉积在腔室中其直接路径内的表面上。
4.微电子学中的应用
真空蒸发对电子元件和设备的制造至关重要。
它可用于制造有源元件、设备触点、金属互连和各种类型的薄膜。
5.确保纯度和质量
高真空环境和特定的加热方法可确保沉积薄膜的纯度和质量。
这使得真空蒸发成为现代电子制造的一项基本技术。
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