CVD（化学气相沉积）通常被认为优于 PVD（物理气相沉积），因为它有几个主要优点。首先，CVD 的工作压力比 PVD 高，因此无需使用高真空泵，如果系统不需要对有毒气体进行广泛的气体管理，还可以降低成本。较高的压力加上 CVD 的层流特性，允许非视线沉积，从而可以在表面不规则或密集排列的基底上沉积保形薄膜。
CVD 的另一个显著优势是能以相对较高的沉积速率生产高纯度、高密度的薄膜或颗粒。这种能力对于需要均匀涂层和高纯度的应用至关重要。CVD 还具有多功能性，能够沉积包括金属、陶瓷和半导体薄膜在内的多种材料。
不过，CVD 也有一些缺点，例如由于蒸汽压力、成核和生长速度的波动，合成多组分材料存在困难，这可能会导致异质成分。此外，热激活 CVD 过程可能涉及挥发性、有毒或发火的前体。
相比之下，PVD 涂层以其耐久性和抗腐蚀性而著称，但它们通常受到视线沉积的限制，需要超高真空条件，而维持这种条件的成本可能很高，技术上也具有挑战性。
总之，在非视线沉积、高纯度和材料沉积多功能性至关重要的情况下，CVD 比 PVD 更受青睐。经济效益和对高真空条件的需求减少，进一步增强了 CVD 在许多应用中的吸引力。
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