PECVD 或等离子体增强化学气相沉积是一种能在相对较低温度下实现高沉积率的工艺。
为什么 PECVD 可以在相对较低的温度下实现较高的沉积速率？7 大优势解析
1.利用等离子体能量
PECVD 使用等离子体为沉积反应提供能量。
这样就无需将基底加热到传统 CVD 工艺所需的高温。
等离子体可创造一个高能环境，使反应气体易于解离和反应，从而加快沉积速度。
2.低压环境
PECVD 工艺在低压环境下运行。
这有助于实现高沉积速率。
低压减少了污染的机会，并能更好地控制沉积过程。
由于高压环境中不稳定的沉积反应最小化，因此还能沉积出稳定性良好的薄膜。
3.双频操作
PECVD 可使用双频等离子体激励。
这种技术可增强反应气体的解离，提高沉积速率。
与其他 CVD 工艺相比，双频操作可更好地控制等离子特性，并实现更高的沉积速率。
4.更低的沉积温度
与传统的 CVD 工艺相比，PECVD 可在更低的温度下进行。
标准 CVD 工艺通常需要 600°C 至 800°C 的温度，而 PECVD 的温度范围为室温至 350°C。在较高温度可能会损坏涂层基底或设备的情况下，这种较低的温度范围可使应用取得成功。此外，在较低温度下工作可减少具有不同热膨胀系数的薄膜层之间的应力，从而提高粘合强度和电气性能。5.良好的一致性和阶跃覆盖率
