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电弧炉 (EAF) 在电弧处温度可超过 3000°C。了解这种极致高温与马弗炉和燃烧炉相比,如何适用于您的应用。
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气体压力烧结利用高压惰性气体消除孔隙率,为极端条件制造超致密、高强度的部件。了解其工作原理。
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CVD的温度范围从200°C到超过2200°C不等,具体取决于您的材料和薄膜目标。了解如何为您的基板选择正确的工艺。
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LPCVD的沉积速率很慢(10-100纳米/分钟),但可为半导体制造提供无与伦比的薄膜均匀性和保形性。
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