化学气相沉积（CVD）是一种生产大面积、高质量石墨烯的高效方法，主要使用铜、钴和镍等过渡金属基底。该工艺包括在高温下将碳氢化合物前驱体分解成碳自由基，然后在金属表面形成石墨烯层。这种方法因其可扩展性、成本效益以及能够控制所生产石墨烯的质量和均匀性而备受青睐。
详细说明：
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工艺概述：
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在 CVD 工艺中，气态前驱体（通常是甲烷或乙烯等碳氢化合物）被引入反应器，在反应器中遇到加热的金属基底。反应器中的高温会使这些气体分解成碳自由基。然后，这些自由基与金属表面相互作用，成核并生长成石墨烯层。金属基底的作用：
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金属基底的选择至关重要，因为它不仅能催化反应，还能影响石墨烯的生长和质量。铜尤其受青睐，因为它几乎只允许形成单层石墨烯。另一方面，镍则倾向于形成多层石墨烯，这在某些应用中是有利的。基底的特性决定了成核密度、生长速度和形成的石墨烯层数，从而影响最终产品的电气和机械特性。
- CVD 的优势：
- CVD 被认为具有优越性有几个原因：可扩展性：
- 它可以生产适合工业应用的大面积石墨烯薄膜。质量控制：
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可对工艺参数进行微调，以获得高质量、均匀且缺陷最小的石墨烯。多功能性：
可使用不同的金属基底和前驱体气体来定制石墨烯的特性，以满足特定应用的需要。
应用和未来展望：
