薄膜的沉积速率公式为 C = T/t。
在这个公式中
- C 是沉积速率。
- T 是薄膜的厚度。
- t 是沉积时间。
沉积速率衡量薄膜增长的速度。
通常用以下单位表示
- A/s（埃/秒）
- nm/min（纳米/分钟）
- um/小时（微米/小时）
使用沉积设备时应考虑的 5 个关键因素
1.薄膜的应用
沉积速率的选择取决于薄膜的应用。
对于薄膜，最好采用相对较慢的沉积速率，以保持对薄膜厚度的控制和精确控制。
对于厚膜，可能需要较快的沉积速率。
2.薄膜特性与工艺条件之间的权衡
较快的工艺通常需要较高的功率、温度或气体流量。
这些因素会影响或限制薄膜的其他特性，如均匀性、应力或密度。
3.沉积速率的变化
沉积速率变化很大，从几十 A/min （埃/分钟）到 10,000 A/min 不等。
石英晶体监测和光学干涉等技术可用于实时监测薄膜厚度的增长。
4.磁控溅射计算
在磁控溅射中，沉积速率可通过公式 Rdep = A x Rsputter 计算。
这里
- Rdep 是沉积速率。
- A 是沉积面积。
- Rsputter 是溅射速率。
通过调整磁控溅射参数和优化技术，可获得所需的薄膜质量和性能。
5.沉积的均匀性
均匀性是指薄膜在基底上的一致性，通常是指薄膜厚度。
它也可以指其他薄膜特性，如折射率。
沉积均匀性通常是通过平均整个晶片上的采集数据来测量的，标准偏差代表与平均值的偏差。
沉积面积和溅射速率也会影响沉积薄膜的均匀性。
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