HDP 沉积工艺，特别是高密度等离子体化学气相沉积（HDP-CVD），是半导体行业用于在低温下沉积薄膜的一项复杂技术。
这种工艺对于填充微电子设备中的沟槽和孔洞特别有效，可提高薄膜的质量和可靠性。
什么是 HDP 沉积工艺？4 个要点说明
1.利用高密度等离子体
HDP-CVD 利用高密度等离子体，通常由电感耦合等离子体 (ICP) 源产生。
该等离子体源位于反应室外部，可降低电极材料污染的风险。
高密度等离子体可提高反应速率，使前驱体分解效率更高，从而提高薄膜质量。
2.同时沉积和蚀刻
HDP-CVD 的关键创新之一是能够在同一腔室中同时进行沉积和蚀刻。
这种双重功能对于填充高纵横比间隙而不产生空隙或夹缝至关重要。
蚀刻过程有助于去除多余材料，并保持对薄膜厚度和均匀性的精确控制。
3.多功能性和成本效益
HDP-CVD 系统可转换为 ICP-RIE（电感耦合等离子体反应离子蚀刻）系统，用于等离子体蚀刻。
这种双重功能减少了沉积和蚀刻对独立设备的需求，使其成为半导体制造设备更经济的选择。
4.应用和材料
HDP-CVD 通常用于沉积掺杂和未掺杂的硅氧化物、硅氮化物和其他对微电子设备制造至关重要的材料。
低沉积温度使其适用于对温度敏感的基底涂层，从而确保底层结构的完整性。
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