在半导体制造过程中沉积金属时，所使用的技术会因制造设备的具体需求而有很大不同。
5 种关键技术说明
1.电化学沉积 (ECD) 和金属电镀
电化学沉积 (ECD) 专门用于制造集成电路中器件互连的铜 "线路"。
这项技术对于在微电子中形成导电路径至关重要。
金属电镀与 ECD 相似，也用于沉积铜等金属，特别是在硅通孔和晶圆级封装等应用中。
这些方法可有效创建与设备电气功能密不可分的导电层。
2.化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）
化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）用于沉积高精度的材料薄层。
化学气相沉积是在基底表面分解化学物质以沉积薄膜。
原子层沉积每次只添加几层原子，从而实现了极其精确和可控的沉积。
这些技术可用于制造对精度和均匀性要求极高的微小钨连接器和薄层隔膜。
3.电子束蒸发
电子束蒸发利用电子束在真空中加热相关材料，使其汽化并沉积在基底上。
这种方法特别适用于金属和合金的沉积，因为它可以通过分别控制蒸发率来处理具有不同蒸气压的材料。
电子束蒸发可有效地在表面上沉积金属薄膜，这对半导体制造中的金属化过程至关重要。
4.溅射
溅射是另一种用于沉积金属（尤其是合金）的方法。
它是指在高能粒子的轰击下，通常在真空中将原子从固体目标材料中喷射出来。
这种技术对合金非常有效，因为它可以均匀地沉积具有不同特性的材料，克服了蒸发法所面临的挑战。
5.混合真空沉积工艺
在某些应用中，可采用不同沉积技术的组合来实现特定性能。
例如，金属溅射沉积与低压等离子体增强型 CVD 相结合，可用于沉积金属碳化物或碳氮化物，这些物质可用于耐磨涂层。
这种混合方法可以制造出具有定制特性的材料，这是单一沉积技术无法实现的。
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