用于沉积金属的沉积技术可根据所制造半导体器件的具体要求而有所不同。参考文献中提到的主要技术包括电化学沉积 (ECD)、金属电镀、化学气相沉积 (CVD)、原子层沉积 (ALD)、电子束蒸发和溅射。
电化学沉积 (ECD) 和金属电镀：
电化学沉积（ECD）专门用于形成铜 "布线"，将集成电路中的器件互连起来。这种技术对微电子中导电路径的形成至关重要。金属电镀与 ECD 相似，也用于沉积铜等金属，特别是在硅通孔和晶圆级封装等应用中。这些方法可有效创建与器件电气功能密不可分的导电层。化学气相沉积 (CVD) 和原子层沉积 (ALD)：
化学气相沉积和原子层沉积用于沉积高精度的材料薄层。化学气相沉积是在基底表面分解化学物质以沉积薄膜，而原子层沉积每次只添加几层原子，因此可实现极其精确和可控的沉积。这些技术可用于制造对精度和均匀性要求极高的微小钨连接器和薄型隔膜。
电子束蒸发：
电子束蒸发利用电子束在真空中加热相关材料，使其汽化并沉积在基底上。这种方法特别适用于金属和合金的沉积，因为它可以通过分别控制蒸发率来处理具有不同蒸气压的材料。电子束蒸发可有效地在表面上沉积金属薄膜，这对半导体制造中的金属化工艺至关重要。溅射：
溅射是另一种用于沉积金属（尤其是合金）的方法。它是在高能粒子的轰击下，通常在真空中将原子从固体目标材料中喷射出来。这种技术对合金非常有效，因为它可以均匀地沉积具有不同特性的材料，克服了蒸发法所面临的挑战。
