PVD（物理气相沉积）在真空中进行，主要是为了通过最大限度地减少污染和最大限度地增加颗粒的平均自由路径来提高沉积过程的质量和效率。在真空环境中，气体压力的降低大大减少了颗粒之间碰撞的可能性，从而可以更精确、更可控地将材料沉积到基底上。
1.增加平均自由路径：
在真空中，原子和离子等粒子的平均自由路径大大增加。这意味着粒子可以在不与其他粒子碰撞的情况下移动更长的距离。这在 PVD 中至关重要，因为它能使气化材料更直接、更均匀地到达基底，而不会因与空气分子碰撞而发生偏转或改变。这样就能获得更均匀、更高质量的涂层。2.减少气体污染：
在真空中进行 PVD 还能大大减少气体污染物的存在。这些污染物会与气化的材料或基底发生反应，从而改变沉积薄膜的特性。通过最大限度地减少这些相互作用，真空可确保沉积材料以最纯净的形式附着在基底上，从而增强涂层的完整性和性能。
3.增强等离子特性：
真空环境对于 PVD 过程中常用的等离子体的产生和维持至关重要。在真空环境中，等离子体的特性（如焓、粒子密度和能量分布）可得到精确控制。这种控制对离子轰击等过程至关重要，因为离子轰击可改变生长薄膜的特性，还可激活反应沉积过程中的反应气体。4.环境和安全优势：
在真空中进行 PVD 还具有环境和安全优势。它减少了有毒物质的使用，避免了向大气中释放有害物质，使整个过程更具可持续性和环保性。这对于必须严格遵守环保法规的行业尤为重要。
