薄膜沉积过程中的温度普遍下降。
从高温炉工艺到等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺的转变，这一趋势尤为明显。
PECVD 工艺的工作温度较低，通常在 250 至 350°C 之间。
之所以降低温度，是因为需要在保持薄膜性能的同时减少热预算。
5 个重要见解
1.降低沉积温度
从历史上看，薄膜沉积是在非常高的温度下进行的，使用的熔炉温度通常超过 1000°C。
然而，技术和材料的进步促进了 PECVD 的发展。
PECVD 的工作温度要低得多，这对于集成可能无法承受传统沉积方法高温的新材料至关重要。
PECVD 工艺的低温是通过使用等离子体实现的，与热方法相比，等离子体能在更低的温度下激活化学反应。
2.基底温度的影响
沉积过程中基底的温度对薄膜的质量和性能起着至关重要的作用。
较低的基底温度会导致薄膜生长速度减慢和表面粗糙度增加。
相反，较高的基底温度可提高薄膜生长速度并降低表面粗糙度。
然而，最佳的基底温度取决于特定的材料和所需的薄膜特性。
在某些情况下，可能需要额外的冷却步骤来仔细控制基底上的热量，特别是对于敏感材料或特定产品要求。
3.控制沉积速率和制程温度
沉积速率和制程温度密切相关，必须仔细控制，以确保达到所需的薄膜特性。
沉积速率会影响薄膜的均匀性和厚度一致性。
制程温度对薄膜特性有重大影响，通常由应用要求决定。
例如，某些应用可能需要较低的温度，以防止损坏底层材料或实现特定的薄膜特性。
4.低温下的损坏可能性
虽然较低的温度可以减少材料的热应力，但也可能造成其他形式的损坏。
其中包括污染、紫外线辐射和离子轰击等问题，这些问题在较小的特征中更为明显。
了解并降低这些风险对于保持沉积薄膜的完整性和性能至关重要。
5.沉积温度趋势概述
薄膜沉积的趋势是降低温度，主要是为了减少对材料和基底的热应力。
这一趋势也是为了适应更广泛的材料和应用。
然而，要生产出高质量的薄膜，在温度、沉积速率和其他工艺参数之间取得适当的平衡至关重要。
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