化学气相沉积（CVD）是一种用于生产高质量、高性能固体材料的方法，通常用于半导体行业的薄膜生产。在化学气相沉积过程中，挥发性前驱体在基底表面发生反应和/或分解，形成所需的沉积物，挥发性副产品则通过气流排出。CVD 用于沉积各种不同形式的材料，包括单晶、多晶、非晶和外延材料，并根据其开始的化学方法进行分类。
答案摘要：
化学气相沉积（CVD）是一种真空沉积方法，主要用于半导体行业制造薄膜。该工艺是将基底暴露于挥发性前驱体中，前驱体在基底表面发生反应和/或分解，形成固体沉积物。副产品通过气流排出，该方法可沉积成各种形式的材料，如单晶、多晶、非晶和外延。CVD 根据其开始使用的化学方法进行分类，可应用于电子、光电子、催化和能源领域。
各部分说明：
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CVD 过程：
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在 CVD 中，基底暴露在挥发性前驱体中，前驱体通常是气体或蒸汽。这些前驱体在基底表面发生反应和/或分解，形成固体沉积物。反应过程可能涉及热分解、化学合成或化学传输反应。这些反应的副产品具有挥发性，会通过气流从反应室中排出，确保基底上只保留所需的固体材料。沉积类型：
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CVD 能够沉积多种材料，包括金属、非金属、多组分合金以及陶瓷或化合物层。该方法用途广泛，可沉积单晶、多晶、非晶和外延等各种形式的材料。这种多功能性使 CVD 适合于各种应用，包括需要精确和高质量材料的半导体生产。
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CVD 的特点：
CVD 在常压或低真空条件下进行，因此具有良好的包覆性能，可在形状复杂的表面或工件上的深孔或细孔上形成均匀的涂层。生成的涂层纯度高、致密性好、残余应力低、结晶性好。这些特性对于材料在预期应用中的性能和可靠性至关重要。
CVD 的应用：
