在基底上沉积材料时，通常使用两种主要方法：物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）。
了解 PVD 和 CVD 的 5 个要点
1.沉积方法
- 物理气相沉积 使用热蒸发或溅射等物理方法沉积材料，不涉及化学反应。
- 气相沉积 涉及前驱气体之间的化学反应，以沉积材料，通常会形成新的物质。
2.物理气相沉积（PVD）
- 物理气相沉积包含一系列技术，利用机械、机电或热力学过程将材料从源释放并沉积到基底上。
- 最常见的 PVD 技术是热蒸发和溅射。
- 在热蒸发过程中，材料被加热至蒸汽状态，然后凝结在基底上。
- 溅射则是用高能粒子轰击靶材，通常是在真空环境中进行。
- 在此过程中，PVD 不会产生新的物质；它只是将材料的状态从固态或液态转变为气态，然后再变回固态。
- 这种方法对环境的影响最小，常用于沉积金属。
3.化学气相沉积（CVD）
- 化学气相沉积是使用挥发性前驱气体，在基底表面发生化学反应，形成固态薄膜。
- 这种工艺通常需要较高的温度来启动和维持沉积所需的化学反应。
- CVD 广泛应用于半导体行业，用于生产高纯度、高性能的材料，如二氧化硅和氮化硅。
- 由于该工艺具有非视线特性，因此能够均匀地为复杂形状镀膜。
- 不过，与 PVD 相比，CVD 可能涉及更复杂和潜在危险的化学过程。
4.优缺点
- CVD 具有沉积速率高、可均匀涂覆复杂几何形状等优点。
- 它用途广泛，能够沉积包括金属、陶瓷和半导体在内的各种材料。
- 不过，CVD 工艺可能比较复杂，需要小心处理前体化学品，这可能会带来环境和安全问题。
5.总结
- PVD 和 CVD 都可用于薄膜沉积，但两者的机理有本质区别。
- PVD 依赖于物理过程，不需要化学反应，因此通常更简单、更环保。
- 而 CVD 则涉及化学反应，具有在复杂基底上沉积高纯度材料的独特能力，但其复杂性和潜在的环境因素也会增加。
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