基底温度对薄膜沉积和生长的影响很大。基底温度升高会提高纳米粒子的能量和流动性，从而形成更大尺寸的结构。这有利于获得更高质量的薄膜，改善成分和降低缺陷密度。沉淀薄膜的密度也会随着基底温度的升高而增加。
基底温度还会影响沉积薄膜的附着力、结晶度和应力。通过优化基底温度，可以获得所需的薄膜质量和性能。薄膜的应力可用公式 σ = E x α x (T - T0) 计算，其中 E 是薄膜材料的杨氏模量，α 是薄膜材料的热膨胀系数，T 是基底温度，T0 是基底材料的热膨胀系数。
此外，基底温度还影响沉积速率，而沉积速率决定了沉积薄膜的厚度和均匀性。可对沉积速率进行优化，以达到所需的薄膜厚度和均匀性。
基底温度受腔体压力和微波功率等因素的影响。压力越低，等离子体尺寸越大，有利于大面积薄膜沉积，但会导致基底温度降低。较高的压力会将等离子体限制在较小的体积内，从而导致基底温度升高。通过选择合适的压力在大面积沉积和合适的基底温度之间取得平衡非常重要。另外，也可以在不明显改变压力的情况下，使用更高的微波功率来增大等离子体的体积，但这可能会由于基底温度的升高而导致沉积薄膜的不均匀性。
此外，在 CVD 法沉积金刚石等过程中，温度控制在气氛控制和冶金方面起着至关重要的作用。例如，在渗碳过程中，如果负载不处于热平衡状态，就会影响部件表面气氛的活性和碳向特定深度的扩散。时间、温度和碳浓度的综合影响决定了碳在深度上的传输方式，偏离目标值会导致不良后果，如扩散减弱和工件变软。
总之，基底温度对薄膜的性能、质量和生长有重大影响。通过控制和优化基底温度，可以获得理想的薄膜特性。
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