化学气相沉积（CVD）是一种将气态前驱体分子在加热的基底表面上进行受控反应以沉积薄膜或涂层的工艺。这种方法可以生产出具有理想特性（如纯度、硬度和抗损坏性）的高质量材料。
6 个关键步骤说明
1.反应气态物质向表面的传输
CVD 中使用的气态前驱体分子被输送到加热的基底或材料表面。这种传输可通过载气或扩散进行。
2.2. 物种在表面的吸附
前驱体分子吸附在基底表面。发生这种吸附的原因是前驱体分子与基底表面之间的吸引力。
3.异相表面催化反应
前驱体分子一旦被吸附，就会在基底表面发生化学反应。这些反应可以由基底本身或基底表面的催化剂涂层催化。
4.4. 物种向生长点的表面扩散
在基底表面形成的反应产物或中间产物可以通过基底表面扩散到生长点。这些生长点通常是表面能量或反应活性较高的区域。
5.薄膜的成核和生长
在生长点，反应产物或中间物质形成晶核，作为所需薄膜生长的起点。随着更多的前驱体分子发生反应并沉积在基底表面，薄膜会继续生长。
6.气态反应产物的解吸和反应产物运离表面
在沉积过程中，气态反应产物以及未反应的前体分子会从基底表面解吸。然后，通常通过使用载气或真空系统，将这些反应产物从表面输送出去。
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