化学气相沉积（CVD）工艺是通过前驱气体的反应在基底上沉积薄膜。
这一过程在半导体制造、材料涂层和纳米材料制造等各种应用中至关重要。
6 个步骤说明
1.引入前驱体气体
该过程始于将前驱气体引入反应室。
这些气体通常通过气体管理系统供应，并流入加热的石英管。
2.反应和沉积
当气体流过加热的基底时，它们会发生反应并分解，在基底表面沉积出一层薄膜。
这种反应的发生得益于腔室内的高温和可控压力。
3.边界层的形成
当气体速度在基底处降至零时，就会形成边界层，从而促进沉积过程。
4.成核和生长
受基底温度、几何形状和化学成分等各种因素的影响，临界尺寸的晶簇或晶核形成并成长为稳定的晶体。
5.前驱体的蒸发和控制
液态或固态前驱体被加热成气态后进入反应器。
气体蒸发的速度受到严格控制，以达到所需的薄膜厚度。
6.动力学和热力学
该工艺涉及复杂的反应动力学和热力学，需要高温和低压才能实现高效沉积。
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