化学气相沉积（CVD）是用于沉积绝缘薄膜的方法。这种方法是将气体或蒸汽引入加工室，使其发生化学反应，从而在基底上沉积一层薄薄的材料。基底通常会被加热，以加速这一过程并提高所形成薄膜的质量。CVD 具有高度精确性和可控性，因此适用于制造具有特定特征和特性的薄膜。
在半导体器件制造中，各种 CVD 技术，如等离子体增强 CVD (PECVD)、高密度等离子体 CVD (HDP-CVD) 和原子层沉积 (ALD) 被用来形成关键的绝缘层。这些层对于隔离和保护器件内的电气结构至关重要。CVD 技术的选择取决于材料的具体要求和正在制造的器件结构。
总之，CVD 是沉积对各种电子和光学设备的功能和性能至关重要的绝缘薄膜的通用而精确的方法。
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