金属有机化学气相沉积 (MOCVD)，又称金属有机气相外延 (MOVPE)，是一种高通量技术，主要用于生产化合物半导体器件，如高亮度 LED (HBLED)。
这种方法对于合成各种半导体材料（包括砷化物、锑化物、氮化物和复杂的器件堆栈）至关重要。
MOCVD 包括使用金属有机前驱体和反应气体，通过热分解过程沉积材料薄膜。
5 个关键步骤说明
1.前驱体的选择和输入
这一过程首先要选择适当的金属有机前驱体和反应气体。
前驱体通常是金属有机化合物，反应气体通常是氢、氮或其他惰性气体。
这些气体用于将前驱体输送到反应室。
2.气体输送和混合
前驱体和反应气体在受控流量和压力条件下在反应室入口处混合。
这一步骤可确保沉积过程中反应物的适当分布和浓度。
3.沉积和生长
混合气体在加热的基底上发生热分解，导致薄膜沉积。
对这一过程进行控制，以达到所需的薄膜厚度、成分和质量。
4.实时反馈和控制
现代 MOCVD 系统采用实时反馈机制来控制晶片载体温度、薄膜厚度、薄膜应力和晶片曲率等参数。
这提高了沉积薄膜的精度和质量。
5.MOCVD 的应用和进展
MOCVD 不仅用于传统的半导体材料，还可用于制造新型材料，如二维材料、氧化物和钙化物。
它也是开发 LED 和太阳能电池等 MOCVD 设备以及异质集成工艺不可或缺的一部分。
MOCVD 技术的最新进展集中于提高沉积工艺的效率、可扩展性和多功能性，使其成为半导体行业的基石。
与其他沉积技术的比较
混合物理化学气相沉积（HPCVD）
这种技术将固体源的物理蒸发与前驱气体的化学分解相结合，提供了一种不同的薄膜沉积方法。
快速热化学气相沉积 (RTCVD)
这种方法利用基底的快速加热来减少不必要的气相反应，这在特定应用中可能是有益的，但与 MOCVD 方法不同。
总之，MOCVD 是一种多功能、高通量的沉积技术，在半导体行业，尤其是化合物半导体和先进材料的生产中发挥着至关重要的作用。
它能够精确控制沉积参数，适用于多种材料，是现代电子产品制造的重要工具。
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