碳化硅化学气相沉积（CVD）是一种在基底上生长高质量碳化硅（SiC）薄膜的工艺，主要用于半导体制造和其他高科技应用。这种方法是将气体或蒸汽前驱体引入反应器，在高温下发生反应，在基底上形成固态碳化硅薄膜。
工艺概述：
碳化硅 CVD 包括几个关键步骤：将混合反应气体引入反应器、气体在高温下分解、在基底表面发生化学反应形成碳化硅薄膜，以及随着反应气体的补充薄膜不断生长。这一工艺对于生产高纯度、无杂质的碳化硅晶体至关重要，而碳化硅晶体是电子产品制造所必需的。
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详细说明：引入反应气体：
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该工艺首先将混合反应气体引入反应器。这种气体通常包括含有硅和碳的前驱体，而硅和碳是碳化硅的基本元素。混合气体经过严格控制，以确保其成分正确，从而达到所需的碳化硅特性。
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高温分解：
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进入反应器后，气体混合物将经历高温，高温 CVD (HTCVD) 的温度通常在 2000°C 至 2300°C 之间。在这些温度下，气体分子会分解，分解成原子成分。基底上的化学反应：
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分解后的气体会在基底表面发生化学反应。这种反应涉及硅原子和碳原子的结合，形成固态的碳化硅薄膜。衬底的表面可作为碳化硅晶体生长的模板，引导晶体的取向和结构。
薄膜的生长和副产品的去除：
随着反应的继续，SiC 薄膜逐层生长。与此同时，反应的副产品被从反应器中清除，以确保它们不会污染正在生长的薄膜。通过这种连续的工艺，可以控制厚而高质量的碳化硅薄膜的生长。
