碳化硅化学气相沉积（CVD）是一种用于在基底上生长高质量碳化硅（SiC）薄膜的工艺。
这种方法主要用于半导体制造和其他高科技应用。
该工艺是将气体或蒸汽前驱体引入反应器，在高温下发生反应，在基底上形成固态碳化硅薄膜。
5 个关键步骤说明
1.引入反应气体
该工艺首先将混合反应气体引入反应器。
这种气体通常包括含有硅和碳的前驱体，而硅和碳是碳化硅的基本元素。
混合气体经过严格控制，以确保其成分正确，从而达到所需的碳化硅特性。
2.高温分解
进入反应器后，气体混合物将经历高温，高温 CVD（HTCVD）的温度通常为 2000°C 至 2300°C。
在这些温度下，气体分子会发生分解，分解成原子成分。
3.基底上的化学反应
分解后的气体会在基底表面发生化学反应。
这种反应涉及硅原子和碳原子的结合，形成固态的碳化硅薄膜。
衬底的表面就像碳化硅晶体生长的模板，引导着晶体的方向和结构。
4.薄膜的生长和副产品的去除
随着反应的继续，SiC 薄膜逐层生长。
与此同时，反应的副产品被从反应器中清除，以确保它们不会污染正在生长的薄膜。
通过这种连续的工艺，可以控制厚而高质量的碳化硅薄膜的生长。
5.应用和优势
通过 CVD 生产的碳化硅因其电阻低而备受推崇，使其成为某些应用中的理想导体。
此外，碳化硅还具有高硬度、极高的硬度和耐磨性，因此非常适合用于半导体加工部件和其他苛刻的环境。
在 CVD 过程中引入掺杂剂的能力也使 SiC 薄膜可以定制，以满足特定的电子特性要求。
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