化学气相沉积（CVD）是一种利用化学反应蒸汽在基底上形成高质量、高性能固体涂层的工艺。
该工艺涉及一种或多种气体（称为前驱体气体）在反应室中发生反应，从而在基底表面沉积固体材料。
前驱气体相互反应或与基底表面反应形成固体薄膜，其成分可根据项目要求而有所不同。
5 个关键阶段说明
1.反应气体扩散到基底表面
将前驱体气体引入反应室并扩散到基底表面。
2.反应气体吸附到基底表面
前驱气体吸附到基底表面，形成一层反应物。
3.在基底表面发生化学反应，形成固体沉积物
基底表面的活性物质发生化学反应，形成固体沉积物。
4.4. 从基底表面释放气相副产物
该反应的副产物以蒸汽形式释放，并从反应室中清除。
5.形成固体薄膜
固体薄膜在基底表面形成，其成分可根据项目要求而有所不同。
CVD 具有多种优势，包括能够沉积多种材料，如金属膜、非金属膜、多组分合金膜以及陶瓷或化合物层。
该工艺可在常压或低真空条件下进行，因此具有良好的包覆性能，可在形状复杂的表面或工件上的深孔或细孔中形成均匀的涂层。
此外，CVD 涂层具有高纯度、高密度、低残余应力和良好的结晶性。
CVD 工艺有多种类型，包括热丝 CVD、原子层沉积 (ALD) 和金属有机化学气相沉积 (MOCVD)。
这些技术提供了广泛的表面功能化能力，超过了其他涂层技术。
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