说到薄膜沉积，人们往往会想到两种方法：化学气相沉积 (CVD) 和原子层沉积 (ALD)。
这两种方法在薄膜沉积方式和工艺控制水平上有很大不同。
4 个主要区别说明
1.顺序使用前驱体与同时使用前驱体
ALD 采用顺序法，每次将两种或两种以上的前驱体气体引入反应室。
每种前驱体都会与基底或之前沉积的层发生反应，形成化学吸附单层。
每次反应结束后，在引入下一种前驱体之前，都要对反应室进行吹扫，以清除多余的前驱体和副产物。
如此循环往复，直至达到所需的薄膜厚度。
CVD另一方面，CVD 通常是在反应室中同时存在前驱体，这些前驱体相互之间以及与基底发生反应，形成所需的薄膜。
这种方法通常需要较高的温度来使前驱体气化并引发化学反应。
2.控制薄膜厚度和形状
ALD 可提供出色的保形性，并可精确控制薄膜厚度，直至原子级。
这对于需要极薄薄膜或高纵横比结构的应用至关重要。
ALD 反应的自限性确保了每个循环都能增加一个单层，从而实现精确控制。
CVD 对薄膜厚度和一致性的控制不够精确，尤其是在复杂的几何形状上。
它更适合以较高的沉积速率沉积较厚的薄膜。
3.温度和工艺控制
ALD 在受控温度范围内运行，温度通常低于 CVD。
这种受控环境对于有效发生自限制反应至关重要。
CVD 通常需要高温来启动和维持化学反应，这会影响沉积薄膜的质量和均匀性，尤其是在对温度敏感的基底上。
4.应用和精度
ALD 对于精度要求较高的应用，如先进 CMOS 器件的制造，精确控制薄膜厚度、成分和掺杂水平至关重要，因此 ALD 是首选。
CVD 用途更广，可用于更广泛的应用，包括需要高沉积速率和更厚薄膜的应用。
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总之，虽然 ALD 和 CVD 都可用于薄膜沉积，但 ALD 提供了一种更可控、更精确的方法，尤其适用于需要在复杂几何形状上沉积非常薄、均匀的薄膜的应用。
CVD 虽然精度较低，但因其多功能性和以更高的速度沉积更厚薄膜的能力而具有优势。
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