化学沉积过程，特别是化学气相沉积（CVD），是指通过一系列涉及气态前驱体的化学反应，在基底上形成固态薄膜。这种方法在半导体工业和生产高质量薄膜方面至关重要。该工艺通常包括几个关键步骤：
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蒸发和传输:第一步是蒸发挥发性化合物，也就是要沉积的物质。然后将蒸发的物质输送到基底，通常是在真空条件下进行，以确保高效输送。
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吸附和表面反应:气态物质到达基底后，会吸附在基底表面。在这里，它们会发生热分解或与其他气体发生反应，从而在表面形成原子和分子。
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表面扩散和成核:被吸附的物质在表面上扩散，寻找合适的生长位置。当这些物质聚集在一起时，就会发生成核现象，从而开始形成薄膜。
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薄膜生长和解吸:随着更多物质的加入，薄膜开始生长。与此同时，任何气态副产品或未反应的前驱体都会从表面解吸，并被运离基底。
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非挥发性产品的沉积:非挥发性反应产物在基底上积聚，形成一层固体薄膜。这种沉积需要特定的条件，包括高温（约 1000°C）和从几托到高于大气压的不同压力。
CVD 工艺用途广泛，能够沉积包括硅化物、金属氧化物、硫化物和砷化物在内的多种材料。所生产的高质量薄膜对于电子、光学和其他高科技行业的应用至关重要。
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