电子束蒸发是一种将源材料加热到使其蒸发的过程。
这通常需要超过材料熔点的温度。
例如，钨和钽等难熔金属具有很高的熔点，通常采用电子束蒸发法进行蒸发。
电子束本身被加热到约 3000 °C。
当电子束撞击源材料时，电子的动能会转化为热能，从而加热材料使其蒸发。
电子束蒸发的温度是多少？(四个要点说明）
1.加热源材料
该过程涉及将源材料加热到使其蒸发的程度。
这通常需要超过材料熔点的温度。
2.电子束加热
电子束本身被加热到大约 3000 °C。
当电子束撞击源材料时，电子的动能转化为热能，将材料加热至蒸发。
3.局部加热
在电子束蒸发过程中，聚焦电子束用于加热和蒸发金属。
电子通常被加热到 3000 °C 左右，100 kV 的直流电压源将电子加速射向目标材料。
这种方法特别适用于沉积高熔点的材料，因为加热是在源表面的电子束轰击点附近局部进行的。
这种局部加热可防止坩埚污染。
4.高真空环境
该过程需要高真空环境，通常压力小于 10^-5 托，以尽量减少源原子与背景气体原子的碰撞。
这种高真空要求对于合理的沉积速率是必要的，其中蒸气压必须达到约 10 mTorr。
这使得电子束蒸发适用于因气化温度高而无法使用热蒸发的材料。
例如，蒸发铂需要大约 2000 °C 的温度，这超出了热蒸发的操作范围，但电子束蒸发是可行的。
继续探索，咨询我们的专家
了解 KINTEK SOLUTION 电子束蒸发系统的精度和能力！ 我们的先进技术是沉积高熔点材料的完美选择，具有无与伦比的精确度，可确保在高真空环境中进行清洁、高效的处理。现在就提升您的实验室能力--选择 KINTEK SOLUTION 为您提供材料科学领域所需的工具。
