通过化学气相沉积（CVD）应用非晶碳层从根本上改变了催化剂的行为，从而提高了过氧化氢的选择性。通过在铂等活性金属上形成超薄、均匀的涂层，CVD改变了表面几何形状。该过程将反应途径转向双电子转移，专门针对电芬顿应用优化了催化剂。
非晶碳层起到几何调节剂的作用，通过“部分中毒”来隔离活性位点。这种物理限制迫使氧分子以“端部朝向”构型结合，这是最大化过氧化氢产量的关键要求。
提高选择性的机理
活性位点的几何隔离
CVD应用的碳层的主要功能是破坏金属表面的连续性。
通过涂覆铂纳米颗粒等活性金属，碳在表面原子之间产生了物理间距。这种几何隔离阻止了活性位点的大簇同时以不期望的方式与反应物相互作用。
部分中毒的作用
虽然“中毒”在催化中通常被负面看待，但在这里它是一种刻意且有益的特性。
碳层引起部分中毒效应，有效地阻断了特定的表面区域。这种受控的抑制作用阻止了金属触发完整的四电子还原途径，这将产生水而不是期望的过氧化氢。
改变反应途径
从侧向吸附转变为端部朝向吸附
催化剂表面的几何形状决定了氧分子如何着陆和附着。
没有碳层，氧通常采用“侧向”吸附模式，分子平铺在多个金属原子上。CVD碳涂层迫使氧以“端部朝向”模式垂直站立，因为相邻的位点被碳（隔离）阻断了。
促进双电子转移
氧分子的取向决定了化学结果。
端部朝向吸附模式自然有利于双电子转移途径。通过结构上强制这种取向，催化剂实现了显著更高的过氧化氢（$H_2O_2$）选择性，这是电芬顿过程的基本试剂。
理解权衡
选择性与位点可用性
认识到该方法依赖于减少金属表面的可用性非常重要。
部分中毒机制通过故意限制对活性金属的访问来提高选择性。虽然这会产生期望的反应产物（$H_2O_2$），但它根本上依赖于限制催化剂的几何自由度。
催化剂设计的战略应用
在设计电芬顿系统的阴极时，CVD碳的应用可以精确控制反应机理。
- 如果您的主要重点是H2O2选择性：利用CVD碳涂层强制端部朝向氧吸附并抑制水生成。
- 如果您的主要重点是位点隔离：依靠CVD工艺的均匀性在活性金属原子之间创建一致的几何分离。
通过利用非晶碳的几何约束，您可以将标准活性金属转化为高度特异性的过氧化氢生成工具。
总结表：
| 特性 | CVD非晶碳层的影响 | 对电芬顿的益处 |
|---|---|---|
| 表面几何形状 | 产生活性位点的几何隔离 | 防止不期望的多位点反应 |
| 吸附模式 | 从“侧向”转变为“端部朝向”氧结合 | H2O2生产途径的关键 |
| 反应途径 | 促进2电子转移而非4电子转移 | 最大化过氧化氢产量 |
| 催化剂效应 | 金属位点的刻意“部分中毒” | 抑制水生成以获得高选择性 |
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