化学气相沉积（CVD）是一个复杂的过程，涉及多个因素，以确保获得理想的结果。
影响化学气相沉积的 5 个关键因素是什么？
1.压力
化学气相沉积通常使用低压，以防止不必要的反应。
这有助于在基底上形成更均匀的沉积厚度。
较高的压力会导致不均匀沉积和不必要的反应。
2.温度
CVD 使用的温度通常在 800-1050 °C 之间。
温度越高，反应速率越快。
这会促进基底表面气体分子的分解或反应。
3.气体成分
气体成分的选择在 CVD 中至关重要。
它决定了将在基底上发生反应或分解的前驱体分子。
不同的气体及其组合可产生多种材料，包括金属、金属氧化物、硫化物和硅化物。
4.基底特性
基底的特性，如成分、表面形态和晶体结构，会影响沉积材料的生长和附着。
基底应与所需材料相容，并为成核和生长提供合适的表面。
5.反应器设计
使用的 CVD 反应器类型也会影响沉积过程。
主要有两种类型：常压 CVD（APCVD）和低压 CVD（LPCVD）。
每种类型都有自己的优缺点，选择取决于具体的应用要求。
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