石墨烯的生长技术包括
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化学气相沉积（CVD）:这是大面积生产高质量单层石墨烯的最有前途的方法之一。在化学气相沉积法中，使用碳氢化合物气源，通过碳在高碳溶解度的金属基底（如镍）中的扩散和分离，或通过碳在低碳溶解度的金属（如铜）中的表面吸附，实现石墨烯的生长。气相捕获法是一种特殊的 CVD 技术，包括使用一个大的和一个小的石英管，将 CH4/H2 吹入大管，将铜箔装入小管。这种方法可通过创建准静态反应气体分布和减少碳供应来生长大晶粒石墨烯花。
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液相剥离:这种方法是在溶剂（通常是非水溶剂，如 n-甲基-2-吡咯烷酮（NMP）或含有表面活性剂的水溶液）中利用能量剥离块状石墨。剥离的能量可来自超声波喇叭超声或高剪切力。这种方法适用于大规模生产，但与 CVD 相比，电气质量通常较低。
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碳化硅（SiC）升华法:这种方法是在超高真空中对碳化硅基底进行热分解，以尽量减少污染。表面多余的碳重新排列形成六方晶格，从而形成外延石墨烯。不过，这种方法成本高昂，而且大规模生产需要大量的硅。
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在非金属基底上直接生长:这种方法是在非金属表面直接生长石墨烯，与金属表面相比，非金属表面的催化活性较弱。这可以通过使用高温、金属辅助催化或等离子体增强 CVD 来弥补。虽然这种方法生产的石墨烯质量不高，但被认为是未来工业应用的一种潜在方法。
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二维混合体:这种技术是将石墨烯与其他二维材料杂化，以改进技术应用。例如，使用六方氮化硼（h-BN）薄膜作为基底可以改善石墨烯 FET 的电流-电压特性。这些混合材料可以通过逐层转移或直接生长的方式堆叠而成，后者具有可扩展性，污染较少。
每种方法都有其优势和挑战，而 CVD 由于其相对的成本效益和可扩展性，被最广泛地用于高质量、大面积石墨烯的生产。
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