LPCVD 或低压化学气相沉积是一种在亚大气压下从气相前驱体沉积薄膜的热工艺。这种方法的特点是温度控制精确，从而使整个晶片、不同晶片和不同运行过程中沉积的薄膜高度均匀。LPCVD 无需使用载气即可生产出高质量、均匀的薄膜，从而降低了颗粒污染的风险，因此在半导体行业尤其受到青睐。
工艺详情：
LPCVD 工艺的工作压力通常约为 133 Pa 或更低。这种低压环境提高了反应腔内气体的扩散系数和平均自由路径，从而改善了薄膜的均匀性和电阻率。低压还有利于加快气体传输速度，使杂质和反应副产物迅速从基底中清除，同时使反应气体迅速到达基底表面进行沉积。这种机制有助于抑制自掺杂，提高整体生产效率。设备和应用：
LPCVD 设备设计用于在平行电极之间引入反应气体，通常利用臭氧催化基底表面的反应。该工艺首先在硅衬底上形成孤岛，然后孤岛合并形成连续薄膜。薄膜厚度与温度有很大关系，温度越高，薄膜越厚。LPCVD 常用于电阻器、电容器电介质、微机电系统和抗反射涂层的生产。
与其他沉积技术的比较：
与常压化学气相沉积 (APCVD) 相比，LPCVD 可提供更好的薄膜质量和均匀性，但沉积速度可能较慢。等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 是另一种替代技术，它使用等离子体来提高化学反应速率，有利于在较低温度下沉积薄膜，但可能会在等离子体稳定性和薄膜特性方面带来额外的复杂性。
