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电子束蒸发的沉积速率是影响工艺效率的关键因素。
这一速率变化很大，从每分钟 0.1 纳米到每分钟 100 纳米不等。
高沉积速率的主要原因是电子束的能量直接转移到目标材料上。
这种方法对高熔点金属特别有效。
该工艺包括使用聚焦电子束加热和蒸发金属。
在此过程中，电子的温度通常在 3000 ℃ 左右。
100 千伏直流电压源用于加速电子射向目标材料。
电子束轰击源表面的局部加热可确保将污染降至最低。
当被加热的电子撞击源材料时，其动能会转化为热能。
热能加热源表面，产生蒸汽。
当温度足够高时，蒸汽产生并覆盖在基底表面。
该工艺具有高度可控性和可重复性。
它还可与离子源配合使用，以增强薄膜的性能特征。
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