在半导体制造中，蒸发是一种基本沉积技术，用于在半导体晶圆上应用一层薄薄的材料。该过程涉及在一个高真空腔室内加热源材料，直到其汽化。这些汽化的原子或分子然后传输并凝结在较冷的晶圆表面上，形成新的一层。这种方法是物理气相沉积（PVD）的一种形式。
蒸发本质上是在真空中“煮沸”一种材料并使其凝结到目标基板上的过程。虽然它是制造薄膜的一种直接且通常具有成本效益的方法，但与更先进的技术相比，其主要的权衡是难以精确控制薄膜的厚度和均匀性。
蒸发过程的工作原理
要了解其作用，最好将该过程分解为其核心机械步骤。整个操作发生在专业、高度受控的环境中。
核心组件
该系统由三个主要部分组成：源材料（例如，铝等金属）、基板（要涂覆的半导体晶圆）以及包围它们的高真空腔室。
加热和汽化阶段
源材料被加热到高温，使其升华或蒸发，直接转变为气态。这会产生一团汽化的原子云。
真空中的沉积
真空至关重要。通过去除大部分空气分子，可以确保汽化的源原子能够以直线、不间断的路径——即“视线”——从源传输到基板。这可以防止它们与空气颗粒碰撞，否则会导致它们散射或发生反应。
凝结和薄膜生长
当热蒸汽原子撞击到温度远低于它们的半导体晶圆表面时，它们会迅速失去能量并重新凝结成固态。这个过程会逐渐在基板上逐层形成一层坚固的薄膜。
蒸发在芯片制造中的作用
蒸发并非用于现代芯片上的每一层，但对于其特性非常适合的特定应用来说，它仍然是一种有价值的工具。
创建导电金属层
蒸发的主要用途是沉积金属薄膜，特别是用于创建电接触点和互连。例如，它是沉积铝“布线”的常用方法，用于连接芯片上各种晶体管和组件。
简单性和成本效益
与更复杂的沉积方法相比，热蒸发的设备和过程相对简单且成本较低。这使得它成为不需要原子级精度的应用的经济选择。
了解权衡和挑战
尽管有效，但蒸发存在明显的局限性，这促使人们为更苛刻的工艺步骤开发了其他沉积技术。
“视线”限制
由于材料蒸汽以直线传播，因此难以均匀地覆盖复杂的三维表面特征。这导致了较差的“台阶覆盖率”，即薄膜在沟槽侧壁上的厚度远薄于其顶面。
难以控制厚度
蒸发速率很难实现高精度控制。这可能导致整个晶圆上以及不同晶圆之间的薄膜厚度不均匀，从而影响器件性能和良率。
污染风险
真空腔内任何变热的部件都可能释放出不需要的蒸汽。这些杂散分子可能会与源材料共沉积，从而污染薄膜并改变其电学或物理特性，最终降低其质量。
根据您的目标做出正确的选择
选择沉积方法完全取决于您所创建薄膜的技术要求。
- 如果您的主要重点是在平面上进行具有成本效益的金属涂层：蒸发是创建简单接触点或键合垫的高度适用且经济的选择。
- 如果您的主要重点是对复杂的 3D 结构进行高均匀性涂层：您应该探索替代的 PVD 方法，如溅射，它没有相同的视线限制，并提供卓越的台阶覆盖率。
- 如果您的主要重点是沉积具有精确成分或低污染的薄膜：更先进的技术，如溅射或化学气相沉积（CVD），可以对这些关键参数进行更严格的控制。
了解蒸发的基本权衡是选择适合您特定半导体器件的正确制造工艺的关键。
摘要表：
| 方面 | 关键细节 |
|---|---|
| 工艺类型 | 物理气相沉积 (PVD) |
| 主要用途 | 沉积导电金属层（例如，铝接触点） |
| 主要优势 | 对于简单的平面涂层具有成本效益 |
| 主要限制 | 由于视线沉积，在 3D 结构上台阶覆盖率差 |
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蒸发过程只是半导体制造中的一种工具。选择正确的设备对于良率和性能至关重要。
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