知识 什么是气相沉积过程?CVD和PVD薄膜沉积指南
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技术团队 · Kintek Solution

更新于 2 周前

什么是气相沉积过程?CVD和PVD薄膜沉积指南

气相沉积是一系列过程,用于将材料的超薄膜应用于表面,即基板。在所有情况下,源材料都会转化为气态蒸汽,然后传输并在基板表面上凝结或发生反应,形成所需的涂层。所采用的具体方法决定了最终薄膜的性能和质量。

从本质上讲,气相沉积是将气相中的原子或分子移动到固体表面上以构建新层。其两种主要类型——化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)——之间的根本区别在于一个简单的问题:薄膜是由化学反应产生的,还是由直接的物理相变形成的?

基本原理:从气体到固体薄膜

气相沉积在受控环境(通常是真空室)中进行,以确保纯度和精度。正是这种控制使得能够制造出厚度仅为几个原子级别的薄膜。

### 源材料

该过程从源材料开始,也称为前驱体。这是您想要沉积为薄膜的物质。

### 气相

这种源材料被转化为气体。如何实现这一点是主要沉积技术之间的主要区别。

### 传输与沉积

气化后的材料通过腔室传输,并沉积到经过清洁和准备的目标基板上。这种沉积在基板表面形成一层稳定的固体薄膜。

化学气相沉积(CVD):通过反应形成薄膜

在化学气相沉积(CVD)中,薄膜本身并非由原始气体构成。相反,气体是一种化学前驱体,它在基板表面发生反应,形成一种全新的固体材料。

### 步骤 1:引入前驱体气体

将一种或多种挥发性前驱体气体引入含有加热基板的反应室。故意将基板保持在高温下以驱动化学反应。

### 步骤 2:吸附与表面反应

气体分子吸附(粘附)到基板的热表面上。来自基板的热能导致气体分解或相互反应。

### 步骤 3:薄膜生长与副产物去除

这种化学反应在基板上形成所需的固体薄膜。反应产生的气态副产物随后从表面解吸,并通过气流或真空系统输送到腔室外部。

物理气相沉积(PVD):通过冷凝形成薄膜

在物理气相沉积(PVD)中,该过程是直接的物理转变。源材料被物理地转化为蒸汽,然后蒸汽传输并在基板上重新凝结成固体,在此过程中不发生化学反应。

### 步骤 1:蒸汽的产生

一种称为“靶材”的固体源材料受到能量轰击以产生蒸汽。这通常通过溅射(使用高能离子将原子从靶材上撞击下来)或热蒸发(将材料加热至沸腾)来实现。

### 步骤 2:通过真空传输

气化的原子或分子穿过真空室传输。由于 PVD 通常是一个“视线”过程,原子以直线从源靶材传输到基板。

### 步骤 3:沉积与冷凝

当气化的原子撞击到较冷的基板时,它们会重新凝结成固体状态,逐渐形成薄膜。该过程类似于蒸汽在冷镜上凝结。

了解权衡

在 CVD 和 PVD 之间进行选择完全取决于材料、基板的形状以及最终涂层所需的性能。没有一种方法是普遍优越的。

### 涂层保形性

CVD 在形成高度保形涂层方面表现出色。由于前驱体是一种包围基板的气体,因此化学反应可以在所有暴露的表面上发生,即使在复杂、非视线几何形状中也是如此。

PVD 主要是一个视线过程。从源靶材被遮挡的基板区域几乎不会或根本不会接收到涂层,这使得它不太适合复杂的形状,除非进行复杂的基板操作。

### 操作温度

CVD 通常需要非常高的基板温度来激活并驱动表面上必要的化学反应。这限制了可以用作基板的材料类型。

PVD 通常可以在低得多的温度下进行。这使其与更广泛的材料兼容,包括塑料和其他对温度敏感的基板。

### 材料纯度

PVD 可以沉积极其纯净的材料,因为薄膜的成分与源靶材相同。它非常适合沉积纯金属、合金和某些陶瓷。

CVD 薄膜有时可能含有来自前驱体气体或不完全反应的杂质。然而,它独特地能够形成难以或不可能作为 PVD 靶材创建的化合物,例如类金刚石碳或氮化硅。

为您的目标做出正确的选择

您应用的具体要求将决定最合适的沉积方法。

  • 如果您的主要重点是均匀地涂覆复杂的 3D 形状: 由于其非视线、气相反应,CVD 是更优的选择。
  • 如果您的主要重点是将高纯度金属或合金沉积到对温度敏感的基板上: PVD 在较低的工艺温度下提供对薄膜成分的精确控制。
  • 如果您的主要重点是创建特定的化学化合物,如二氧化硅或类金刚石碳: CVD 通常是唯一实用的方法,因为它通过化学反应直接在表面上构建化合物。

理解化学反应和物理相变之间的基本区别是为您选择正确的蒸汽沉积过程的关键。

摘要表:

过程 关键机制 最适合 温度 涂层保形性
化学气相沉积 (CVD) 基板表面的化学反应 复杂的 3D 形状、化合物薄膜 高温 极好(非视线)
物理气相沉积 (PVD) 蒸汽的物理冷凝 纯金属、对温度敏感的基板 低温 仅限视线

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